文章来源：Jeff的芯片世界
原文作者：Jeff的芯片世界
本文介绍了漏致势垒降低效应是什么以及它的危害。
随着智能手机、电脑等电子设备不断追求轻薄化，芯片中的晶体管尺寸已缩小至纳米级(如3nm、2nm)。但尺寸缩小的同时，一个名为“漏致势垒降低效应(DIBL)”的物理现象逐渐成为制约芯片性能的关键难题。
什么是漏致势垒降低效应(DIBL)
1.核心定义
DIBL全称Drain-Induced Barrier Lowering(漏致势垒降低效应)，指晶体管中漏极电压升高时，源极与沟道之间的电势壁垒被削弱的现象。这会导致晶体管在关闭状态下仍产生漏电流，影响器件可靠性。
2.物理机制类比
想象源极和漏极之间有一道“水坝”(势垒)，正常情况下，“水坝”高度足够阻挡电流(关闭状态)。但当漏极电压增大时，相当于“水坝”被外力压垮了一部分，电子便能“翻越”势垒形成漏电流。
3.发生条件
DIBL主要出现在短沟道晶体管中(沟道长度<100nm)。随着晶体管尺寸缩小，漏极电场对源极的干扰增强，传统器件结构难以维持势垒高度。
DIBL如何影响晶体管性能
1.静态功耗飙升
DIBL导致晶体管关闭时漏电流显著增加。据研究，28nm工艺芯片中，DIBL贡献的漏电占总功耗的30%以上。这不仅缩短设备续航，还引发发热问题。
2.阈值电压漂移
阈值电压(晶体管开启的临界电压)受DIBL影响会发生偏移。例如，某40nm工艺晶体管的阈值电压可能因DIBL降低50mV，直接导致电路逻辑错误风险上升。
3.器件寿命下降
持续漏电流会加速晶体管老化。实验表明，DIBL严重的器件在高温下工作1000小时后，性能退化速度比正常器件快2-3倍。
如何应对DIBL挑战
1.材料革新：高介电常数(High-k)介质
传统二氧化硅(SiO₂)栅极介质的物理极限为1.2nm(约5个原子厚度)，进一步减薄会加剧DIBL。英特尔在45nm节点引入铪基(HfO₂)High-k材料，在相同厚度下介电常数提升3倍，有效抑制漏电场穿透。
2.结构升级：FinFET与全环绕栅极(GAA)
FinFET(鳍式场效应晶体管)：通过将沟道竖立为“鳍”状，三面包裹栅极，使栅极对沟道的控制力提升50%以上，显著降低DIBL(22nm节点后广泛应用)。
纳米片GAA：三星3nm工艺采用多层堆叠纳米片，栅极360°环绕沟道，进一步将DIBL导致的漏电降低至FinFET的1/5。
3.工艺优化：超浅结与应变硅技术
通过离子注入形成超浅源漏结(深度<20nm)，减少漏极电场对沟道的横向干扰;引入应变硅技术(如GlobalFoundries的SiGe通道)，提高载流子迁移率，降低工作电压需求。
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